勻膠旋涂儀主要用微細加工、半導體、微電子、光電子和納米技術(shù)工藝中在硅片、陶瓷片上勻膠等工藝與光刻、烘烤等設(shè)備配合使用。勻膠旋涂儀價格實惠，操作簡單，結(jié)構(gòu)小巧緊湊，占地空間小，為實驗室提供了理想的解決方案。能夠較大限度的保證旋涂均勻；可對大小不同規(guī)格的基片進行旋涂。
 

　　勻膠旋涂儀通過在片托上產(chǎn)生負壓，將需要旋涂的基底材料吸附在片托上,膠液滴注在基底材料的表面,通過準確調(diào)節(jié)電機的旋轉(zhuǎn)速度,以此來改變離心力大小，同時通過滴膠裝置控制膠液的流量,來達到制備薄膜所需的厚度,另外薄膜厚度也取決于旋涂時間，膠液的粘度,余覆的溫度和濕度等環(huán)境因素。
 

　　滴膠這一步把光刻膠滴注到基片表面上，高速旋轉(zhuǎn)把光刻膠鋪展到基片上形成簿層，干燥這一步除去膠層中多余的溶劑。兩種常用的滴膠方式是靜態(tài)滴膠和動態(tài)滴膠。
 

 

　　靜態(tài)滴膠就是簡單地把光刻膠滴注到靜止的基片表面的中心，滴膠量為1-10ml不等。滴膠的多少應根據(jù)光刻膠的粘度和基片的大小來確定。粘度比較高或基片比較大，往往需要滴較多的膠，以保證在高速旋轉(zhuǎn)階段整個基片上都涂到膠。
 

　　動態(tài)滴膠方式是在基片低速(通常在500轉(zhuǎn)/分左右)旋轉(zhuǎn)的同時進行滴膠，“動態(tài)”的作用是讓光刻膠容易在基片上鋪展開，減少光刻膠的浪費，采用動態(tài)滴膠不需要很多光刻膠就能潤濕(鋪展覆蓋)整個基片表面。尤其是當光刻膠或基片本身潤濕性不好的情況下，動態(tài)滴膠尤其適用，不會產(chǎn)生針孔。滴膠之后，下一步是高速旋轉(zhuǎn)。使光刻膠層變薄達到要求的膜厚，這個階段的轉(zhuǎn)速一般在1500-6000轉(zhuǎn)/分，轉(zhuǎn)速的選定同樣要看光刻膠的性能(包括粘度，溶劑揮發(fā)速度，固體含量以及表面張力等)以及基片的大小?？焖傩D(zhuǎn)的時間可以從10秒到幾分鐘。勻膠的轉(zhuǎn)速以及勻膠時間往往能決定膠膜的厚度。
 

　　勻膠旋涂儀旋轉(zhuǎn)速度的快慢和控制精度直接關(guān)系到旋涂層的厚度控制和膜層均勻性。如果標示的轉(zhuǎn)速和電機的實際轉(zhuǎn)速如果誤差很大，對于要求精密涂覆的科研人員來說是無法獲得準確的實驗數(shù)據(jù)的。勻膠旋涂儀的真空泵一定要選用無油的，壓力標定準確，因為任何的油污都可能堵塞真空管道，如果真空吸附力降低，會導致基片吸附不住而產(chǎn)生“飛片”的情況，還會讓滴膠液不慎進入真空管道系統(tǒng)造成堵塞。